大到汽车抛锚、“刹车故障”，小到一颗螺丝钉、一块座椅污渍。小米SU7上市至今，几乎都是被放大镜，甚至显微镜在关注着。流量的力量，被小米SU7展示得淋漓尽致。以至于智己汽车在“蹭流量”时，因为误将小米SU7的前电机标注为非SiC碳化硅，而引来群嘲。但有关SiC碳化硅在小米汽车上的使用争议，却并没有消停。近期，又有关于小米SU7所使用的SiC碳化硅芯片良品率低，导致车辆安全隐患的消息被曝出。如果真是如此，为其背锅的应该是小米汽车，还是供应商体系呢？驱动系统是核心矛盾，“锅”扣不到供应商头上？
从网传报道中，我们可以发现，矛盾较为集中在小米SU7的驱动系统部分。正如5月份，福建某车友购入的小米SU7，在表显里程仅39km的情况下，遭遇驱动系统故障的案例。由于SiC碳化硅材料在击穿电压、开关频率以及热特性等方面，具有明显优势。所以在纯电动车高压平台上，已经开始普及SiC碳化硅芯片的使用。甚至即便不是800V级别的高压平台，但为了提高驱动系统的效率，并降低能耗，诸如小米、特斯拉等等，也会在400V电压平台车型上使用SiC碳化硅芯片。
那么“锅”会来自SiC碳化硅芯片的供应商吗？根据已知信息，小米SU7的顶配双电机版，采用的是英飞凌的SiC碳化硅芯片产品，而单电机版本，则是使用来自联合汽车电子的方案。英飞凌自然是SiC碳化硅芯片领域的龙头企业之一，乍听起来，矛头似乎要指向联合汽车电子？问题是网曝的信息，恰好是优先将矛头指向小米SU7的顶配双电机版。至于单电机版的SiC碳化硅芯片，反倒成了“次要矛盾”。
当然，这还可以有另一个解释。众所周知，小米SU7只有顶配双电机四驱版是采用的高压平台。而所有的单电机后驱版，都是采用的400V电压平台。所以，有没有一种可能性，是高电压导致英飞凌的SiC碳化硅芯片更为不稳定？但正如前面所说，英飞凌的SiC碳化硅芯片产品，属于行业领先地位。不仅采购车企众多，且800V高压平台眼下也不是什么新鲜物。如果其产品优良率明显低于车规级需求，那问题不应该留到小米SU7才被曝出。
