那这个问题要如何解决呢？我们可以先参考一下特斯拉当年是怎么做的。彼时特斯拉采用的车企最喜闻乐见，同时消费者也相对省心的OTA解决方案。通过远程升级优化电机控制软件，并对其进行监控，从而在出现相关故障后，对后逆变器进行更换。很显然，所谓“优化电机控制软件”，换一个更熟悉一点的形容，也就是“降频”。当然，电机性能不可能像3C数码产品那样，涉及降频就“挥刀自宫”。但牺牲一定极限性能，以此延长SiC碳化硅芯片的寿命，显然是必须的。
回到小米SU7身上，如果也遭遇到类似问题，特斯拉当年的OTA办法，也是可以被抄作业的存在。但想要根除这一问题，还是得落回到另一个关键因素，也就是提升SiC碳化硅芯片的良品率和质量。毕竟，高转速电机是纯电动车的必然发展方向。包括小米在内，已经把门槛提升至2万转以上。后续跟进的小米V8s电机，甚至可以将转速推高至27200rpm。既然驱动技术在进步，那么半导体技术也就只能选择跟上节奏。
问题是，身为业内巨头，同时也是小米高性能半导体材料供应商的英飞凌，从来就不是一家IDM企业。其实这也符合半导体食物链的一般操作，只是后起之秀Wolfspeed“不太守规矩”，覆盖了从原材料衬底，到芯片制造的全流程。回到英飞凌身上，既然自己不造衬底，身为行业巨头，那就得增加碳化硅晶圆的采购渠道，保证自己的出货量和成本。近年来，英飞凌丰富了包括多家中国供应商在内的衬底供应体系。
而英飞凌的一贯做法是，对所有衬底供应采取黑盒处理。也就是说，采购方无法得知自己的货源，到底是来自哪家的衬底供应。即便刨除不同供应商，在品质方面可能发生的波动。在眼下6英寸衬底还是绝对主流的情况下，车企得到的SiC碳化硅芯片，是否有可能来自加工良品率更高的8英寸衬底，都是模糊状态。
不过，根据英飞凌留下的“后门”，核心客户还是有可能获得挑选衬底来源的优待。这对小米V8s电机而言，显然是个好消息。毕竟，根据装车节奏，该电机将会在明年（2025年）问世。而英飞凌此前披露的有关8英寸碳化硅晶圆的面世节奏，几乎与之同步。倒推回来，也很难说两家企业在这方面是否本身就存在默契。相较最终选择弱化SiC碳化硅应用的特斯拉，小米汽车看来是要在更高转速的驱动性能上，持续豪赌。
