2024低功耗型MCU优秀案例
德州仪器
超小型高性能32位MCU系列
MSPM0C MCU既集成了 32位处理能力，也在低功耗方面进行了技术创新。从规格来看，MSPM0C MCU搭载了32位Arm Cortex-M0+内核，具备16KB的闪存容量和1KB的SRAM容量，支持-40°C~+125°C的工作温度范围，能够在各种环境条件下稳定运行。在技术创新方面，该系列强调低功耗设计，通过电源管理和优化的时钟系统，实现了在各种工作模式下的低能耗运行。该系列还采用了WSON-DSG封装，其中MSPM0C110x采用8引脚WSON封装，比常见的8引脚SOIC封装小7.35倍。在生态支持上，MSPM0 MCU提供了开发工具、评估板、嵌入式软件套件、驱动程序和示例等支持。该系列已经在工业、汽车、电器和个人电子产品等领域得到应用，特别是在需要低功耗和小型化解决方案的领域——如可穿戴设备、电动牙刷、剃须刀等便携式设备。
2024低功耗型MCU优秀案例
上海华力微电子有限公司
40nm嵌入式闪存技术
上海华力的40nm嵌入式闪存工艺是与华力40nm逻辑平台工艺和SONOS（硅—氧化物—氮化物—氧化物—硅）存储单元技术兼容的成套工艺。该工艺结合配套的嵌入式存储器IP，能够满足汽车、交通、安防、工业、家居、健康监护等领域MCU类产品的低功耗需求。在性能方面，基于该工艺的存储单元具有快速编程、操作电压低、低功耗、高抗干扰能力的特点。在成本方面，该工艺能够缩小存储单元尺寸，且整套工艺要求增加的光罩数量少（只增加4层光罩），更容易与CMOS工艺兼容，以降低工艺成本。在可靠性和安全性方面，基于该工艺的存储单元具有10年的数据保持、20万次擦写的能力，以及对软失效较强的抵抗力，适用于高性能和安全类芯片。该工艺可持续微缩，预计至少可缩小至28nm技术节点。
