日前，山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，还研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。
烁科晶体位于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。近年来，该企业通过自主创新和自主研发，全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，在国内率先完成高纯半绝缘碳化硅单晶衬底关键工艺技术攻关，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺，拥有碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。此次12英寸碳化硅单晶衬底的成功研制，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
