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揭秘比亚迪的半导体野心:试图做汽车界的“高通”

2018-12-12 08:46 来源: 钛媒体APP

据悉,当前IGBT主要的材料方案是硅基IGBT,而比亚迪已经在第三代半导体SiC(碳化硅)的研发中进行大量投入。据悉,碳化硅IGBT能够做到损耗更低、电流输出能力更强。

特斯拉Model 3即采用了与意法半导体联合开发的的650v 碳化硅功率器件Mosfet, 相比Model S采用的IGBT,实现了5-8%逆变器效率提升,这为Model 3的续航能力提升带来不小帮助。

揭秘比亚迪的半导体野心:试图做汽车界的“高通”

陈刚向钛媒体表示,比亚迪基于碳化硅材料的IGBT芯片已大规模用于车载电源, 有望于2019年将推出搭载SiC电控的电动车不过,性能增强对应的是成本提升。

据悉,碳化硅IGBT比目前的硅基IGBT的成本高出8-10倍。但陈刚告诉钛媒体,在成本控制上,比亚迪有独有优势。

“碳化硅IGBT成本高的原因主要有两个,一个是良率低,一个是没有规模化应用。”陈刚说,“价格和规模化应用是互相矛盾的,而比亚迪拥有从动力电池、电控系统到新能源汽车的完整上下游配合,可以帮助碳化硅IGBT降低成本。”

陈刚预计,2023年,采用SiC基的半导体将全面替代硅基半导体(如硅基IGBT)。

而谈到在半导体之路上的探索目标,陈刚表示,“我们立志于使比亚迪功率半导体芯片对于新能源汽车的意义,如高通之于手机、英特尔之于电脑。” (本文首发钛媒体,作者/李勤,编辑/赵宇航)

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